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Everspin Technologies anuncia la ampliación de sus dispositivos STT-MRAM de alto rendimiento para IoT Industrial

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Everspin Technologies anuncia la ampliación de sus dispositivos STT-MRAM de alto rendimiento para IoT Industrial Imagen: Everspin Technologies
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Producto equipado con una capacidad adicional de 4 Mb, un encapsulado más pequeño y un rango de temperatura industrial ampliado de 105⁰C.

Everspin Technologies, Inc, líder mundial en el desarrollo y fabricación de soluciones de memoria persistente de acceso aleatorio magnetorresistiva (MRAM), ha anunciado hoy la ampliación de su familia de productos STT-MRAM industriales de alta densidad, la EMxxLX. El producto EMxxLX, anunciado el año pasado, es la memoria persistente de mayor rendimiento disponible en la actualidad. Es ideal para sistemas electrónicos en los que la persistencia y la integridad de los datos, el bajo consumo, la baja latencia y la seguridad son primordiales, como el IoT industrial, la infraestructura de redes/empresas, la automatización y el control de procesos, la aeronáutica/aviónica, la medicina, los juegos y la configuración de FPGA.

La primera interfaz serie xSPI del sector basada en la exclusiva tecnología STT-MRAM de Everspin es la única memoria persistente disponible en el mercado con un ancho de banda completo de lectura y escritura de 400 megabytes por segundo a través de ocho señales de E/S con una frecuencia de reloj de 200 MHz. La nueva familia ampliada de dispositivos EMxxLX ofrece la más alta combinación de rendimiento, resistencia y retención, y ahora está disponible en densidades de 4 a 64 megabits con un nuevo embalaje más pequeño para los productos de 4 a 16 megabits. El nuevo encapsulado DFN de 5 mm x 6 mm supone un ahorro de superficie del 37% con respecto a la oferta actual. Además de la nueva capacidad y el nuevo encapsulado más pequeño, Everspin ofrece un rango de temperatura ampliado en los productos EMxxLX de -40⁰C a 105⁰C. La familia EMxxLX puede sustituir a soluciones alternativas, como SRAM, BBSRAM, FRAM, NVSRAM y dispositivos NOR flash.

"En los mercados de IoT industrial y sistemas embebidos de rápido crecimiento, los clientes, más que nunca, necesitan proteger los datos críticos del sistema en todas las condiciones, particularmente en caso de pérdida de energía y sin preocuparse por el desgaste o los problemas de integridad de los datos", enfatizó Sanjeev Aggarwal, presidente, y CEO de Everspin Technologies. "Por eso nos enorgullece anunciar la ampliación de nuestra línea de productos EMxxLX MRAM, que ahora ofrece no sólo un rendimiento similar al de las SRAM con baja latencia y la capacidad de mantener la memoria sin necesidad de alimentación, sino también un rango de temperatura ampliado para atender a diversas demandas ambientales". Con la incorporación de una opción de 4 Mb de capacidad, nuestros dispositivos MRAM ofrecen aún más opciones para seleccionar las soluciones de densidad óptimas. Siguen proporcionando una resistencia extremadamente alta, siguen siendo compatibles con otros tipos de memoria y ofrecen facilidad de integración en los diseños de los clientes."

Everspin ya está realizando un muestreo de la opción de 4 Mb de capacidad con el encapsulado DFN más pequeño, cuya producción está prevista para el primer trimestre de 2024. Las opciones de 8Mb a 64Mb de capacidad con el rango de temperatura ampliado ya están disponibles para pedidos de producción. (Everspin Technologies)

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