Weebit Nano graba su primer chip de demostración de 22 nm. con memoria NVM integrada rentable y fiable para IoT, IA y otras aplicaciones de consumo ultrabajo

Weebit Nano Limited, empresa líder en el desarrollo de tecnologías de memoria de nueva generación para la industria mundial de semiconductores, ha lanzado chips de demostración que integran su módulo de memoria resistiva de acceso aleatorio (ReRAM o RRAM) en una avanzada tecnología de proceso FD-SOI (silicio totalmente empobrecido sobre aislante) de 22 nm. Se trata de la primera ReRAM de Weebit en 22 nm, uno de los nodos de proceso más comunes del sector y una geometría en la que la tecnología flash integrada no es viable.

Weebit ha trabajado con sus socios de desarrollo CEA-Leti y CEA-List para escalar con éxito su tecnología ReRAM a 22 nm. Los equipos diseñaron un módulo de memoria IP completo que integra un bloque ReRAM de varios megabits dirigido al proceso FD-SOI de 22 nm que está diseñado para ofrecer un rendimiento excepcional para aplicaciones conectadas y de consumo ultrabajo como IoT y edge AI.

Dado que la tecnología flash integrada no puede escalarse por debajo de los 28 nm, se necesita una nueva tecnología de memoria no volátil (NVM) para geometrías de proceso más pequeñas. Weebit ReRAM en 22nm FD-SOI ofrece una solución NVM embebida de bajo consumo y rentable que puede soportar condiciones ambientales adversas.

Coby Hanoch, Consejero Delegado de Weebit Nano, ha declarado: "Estamos encantados de haber grabado en el plazo previsto nuestro primer chip de demostración en 22nm. Seguimos acelerando el camino de Weebit hacia geometrías más avanzadas para satisfacer una clara necesidad del mercado en aplicaciones como microcontroladores, IoT, 5G, edge AI y automoción. La NVM embebida es un elemento clave de tales diseños, pero como la flash embebida es difícil de escalar por debajo de 28nm, muchas empresas están buscando tecnologías emergentes como ReRAM. Hay un creciente interés por parte de las empresas que buscan utilizar nuestra ReRAM para crear nuevos e interesantes productos en estas áreas."

Olivier Faynot, Jefe de la División de Componentes de Silicio de CEA-Leti, ha declarado: "La tecnología FD-SOI ofrece un alto rendimiento con tensiones y fugas bajas que permiten a los dispositivos funcionar a frecuencias más altas con una mayor eficiencia energética. También facilita la integración de funciones adicionales como la conectividad y la seguridad. Con Weebit ReRAM disponible en este proceso, la industria dispondrá de una opción NVM altamente eficiente y robusta para sus futuras innovaciones de producto."

El módulo ReRAM embebido de Weebit incluye una matriz ReRAM de 8Mb, lógica de control, decodificadores, IOs (elementos de comunicación de entrada/salida) y código de corrección de errores (ECC). Está diseñado con circuitos analógicos y digitales únicos, pendientes de patente, que ejecutan algoritmos inteligentes que mejoran significativamente los parámetros técnicos de la matriz de memoria. Entre otras ventajas, la tecnología ReRAM de Weebit destaca en condiciones ambientales adversas, como altas temperaturas, radiación y campos electromagnéticos, lo que la hace ideal para aplicaciones como IoT, medicina, automoción e industria.

Los chips de demostración comprenden un subsistema completo para aplicaciones integradas, que incluye el módulo Weebit ReRAM, un microcontrolador RISC-V (MCU), interfaces de sistema, memorias y periféricos. (Weebit Nano Limited)