La nueva generación de PSRAM combina bajo consumo, baja latencia y alto rendimiento para impulsar aplicaciones en wearables y nodos IoT de bajo consumo energético.
AP Memory, compañía global especializada en diseño de memorias personalizadas, anunció el lanzamiento de su nueva generación de PSRAM bajo la denominación ApSRAM™. Este avance tecnológico, que ya ha superado la fase de validación por parte de clientes, entrará en producción en masa a finales de este año y está especialmente orientado a aplicaciones de IoT, dispositivos wearables y edge computing.
ApSRAM™ supone una evolución respecto a la PSRAM tradicional al incorporar una arquitectura renovada que ofrece una combinación de bajo consumo energético, baja latencia y alto rendimiento. Entre sus principales mejoras, destaca la adopción de una interfaz de control más intuitiva, que elimina la necesidad de calibraciones complejas de señal, al tiempo que soporta mayores requisitos de ancho de banda.
Según datos de la compañía, ApSRAM™ proporciona hasta cuatro veces más ancho de banda en comparación con las soluciones convencionales y logra reducir el consumo dinámico a solo una quinta parte. Estas prestaciones lo convierten en una opción especialmente adecuada para dispositivos alimentados por batería que requieren procesamiento en tiempo real y transmisión continua de datos, como es el caso de wearables y nodos IoT distribuidos en entornos industriales o urbanos.
La nueva memoria también permite a los fabricantes de SoCs escalar la capacidad de memoria sin necesidad de rediseño, ofreciendo densidades que van desde 128Mb hasta 2Gb. Además, admite tensiones de entrada/salida entre 0,6V y 1,1V, lo que asegura compatibilidad con una amplia variedad de procesos lógicos y simplifica la integración en sistemas complejos. El primer producto ApSRAM™ ya se encuentra en fase de muestreo y la producción en masa comenzará antes de finalizar el año, con planes de ampliar la gama de densidades disponibles para responder a las demandas de nuevas aplicaciones.
“Cuando los productos de memoria van más allá de los límites de la estandarización, se abre la puerta a múltiples posibilidades de innovación. ApSRAM™ es un avance que nace de esa visión”, afirmó Jerry Hsueh, vicepresidente de AP Memory. “Con esta innovación, ApSRAM™ está preparada para convertirse en la opción ideal para aplicaciones de próxima generación como el IoT, los dispositivos wearables y el edge computing”.
(AP Memory)
